X
تبلیغات
رایتل
.: برق قدرت و تازه های برق و الکترونیک :.
خبر, اختراعات,مقاله,کتاب, جزوه...
بانک اطلاعات واخبار برق و الکترونیک


بازدید : مرتبه
تاریخ : جمعه 1 دی‌ماه سال 1391
نسل جدید حافظه مغناطیسی با دستاورد چشمگیر محقق ایرانی

 تیم تحقیقاتی دانشگاه کالیفرنیا با همکاری محقق ایرانی با استفاده از ولتاژ الکتریکی به جای جریان الکتریکی به پیشرفت عمده‌ای در طراحی حافظه مغناطیسی (MRAM) فوق سریع و با ظرفیت بالا دست یافتند.

به گزارش راسخون به نقل از ایسنا، در حال حاضر حافظه مغناطیسی بر پایه فناوری موسوم به اسپین انتقال گشتاور (STT) استوار است که از اسپین الکترون استفاده می‌کند؛ اما این حافظه به مقدار معینی انرژی نیاز دارد و ظرفیت حافظه نیز محدود است.

حافظه مغناطیسی موسوم به MeRAM از پتانسیل بسیار بالایی برای آینده تراشه‌های حافظه در دستگاه‌هایی مانند تلفن همراه هوشمند، رایانه ها و ذخیره سازی داده حالت جامد (SSD) برخوردار است.

این حافظه ترکیبی از انرژی پایین با سرعت بالا در خواندن و نوشتن داده ها و توانایی فلش مانند برای حفظ داده‌ها در شرایطی است که هیچ انرژی اعمال نمی‌شود.

در حافظه MeRAM برای نوشتن داده ها، جریان الکتریکی STT با ولتاژ جایگزین می شود؛ این اقدام نیاز به حرکت تعداد زیادی از الکترون ها را در طول سیم کاهش می دهد؛ در این شرایط کارآمدی مصرف انرژی سیستم بین 10 تا یک هزار برابر افزایش پیدا می کند.

«پدرام خلیلی امیری» دانشیار پژوهشی مهندسی برق دانشگاه کالیفرنیا، لس آنجلس(UCLA) و همکار این طرح تأکید می کند: توانایی سوئیچ مغناطیسی در مقیاس نانو با استفاده از ولتاژ پایین، یک دستاورد چشمگیر و پیشرفت سریع تحقیقات در حوزه مغناطیس محسوب می شود.

توسعه این فناوری بشکل یک محصول علاوه بر کاهش میزان مصرف انرژی، می تواند باعث فراهم شدن زمینه کاربردهای جدید شود که به کاهش هزینه ها و افزایش ظرفیت حافظه منجر می شود.

منبع:راسخون




داغ کن - کلوب دات کام طبقه بندی:
ارسال توسط حامد مخملی
داغ کن - کلوب دات کام
آخرین مطالب
آرشیو مطالب
صفحات جانبی
پیوند های روزانه
امکانات جانبی